Q. 극저온식각에 대해 질문이 있습니다.

답변 4

• P

  PRO액티브현대트랜시스

  코전무 ∙ 채택률 100%

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  먼저 채택한번 꼭 부탁드립니다!! 3D NAND Flash 채널 홀의 극저온(cryogenic) 식각 기술은 일부 선행 공정 연구와 장비 개발 단계에서는 이미 검토·실험된 사례가 있으나, 상용 양산 공정에서는 아직 부분적·시험적 도입 단계에 머물러 있는 경우가 많습니다. 공정 안정성과 수율 확보가 관건입니다. HBM TSV(Through Silicon Via)에 극저온 식각을 도입하는 논의는 아직 활발하지 않습니다. TSV는 수십~수백 마이크로미터 깊이와 고종횡비 구조를 가지며, 기존 극저온식각은 주로 3D NAND처럼 수십 마이크로미터 이하 고종횡비 구조에 최적화돼 있어, 열응력, 장비 적합성, 플라즈마 균일성 확보 등의 문제로 적용이 어렵습니다. 향후 도입 가능성은 연구 진행과 장비 개선 여부에 달려 있습니다.

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• 만

  만나서 반갑습니다.함박웃음치과

  코과장 ∙ 채택률 61%

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  안녕하세요 3D NAND 플래시 채널홀에는 이미 극저온식각 기술이 일부 공정에 도입되어 활용되고 있는 경우가 있습니다 HBM TSV 는 현재 도입 사례가 거의없고 향후 도입도 어려울 수 있는데 이유는 TSV 의 깊이 직경구조적 복잡성과 극저온 환경에서의 균일 식각 제어가 기술적으로 매우 까다롭기 때문이다

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  전문상담HL 디앤아이한라

  코이사 ∙ 채택률 63%

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  안녕하세요 성실히 답변드리겠습니다. 채택 바랍니다 ^^ 3D NAND 채널홀 이미 상용 도입됨 : 극저온식각(Cryo Etch)으로 고비율, 손상 최소화 홀 형성 HBM TSV 아직 논의 초기수준입니다. 도입 어려움 : 구멍 직경이 크고, 두께 / 스트레스 문제 존재 > 극저온식각 효과 제한 향후 도입 가능성은 공정 최적화, 신소재 등장 시 일부 적용 가능 정도 3D NAND는 실사용, HBM TSV는 기술적 난제로 아직 초기 단계

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  프로답변러YTN

  코부사장 ∙ 채택률 86%

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  멘티님 3D 낸드 플래시의 초고층화로 인해 기존 식각의 한계를 넘고자 극저온 식각 기술은 이미 최선단 공정 양산 라인에 도입이 시작된 상태입니다. HBM의 TSV 공정 역시 현재 주류인 보쉬 공정의 스캘럽 이슈를 해결하고 생산성을 높이기 위해 향후 극저온 식각 도입은 선택이 아닌 필연적인 흐름이 될 것으로 확신합니다. 기술적 난이도는 높지만 미세화 트렌드에 따라 결국 도입될 기술이니 긍정적인 방향으로 전망하시면 됩니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!

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  반도체

  설계팀

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